Los chips desarrollados por los físicos de Quinas cuentan con una latencia diez veces menor que las memorias DRAM y duran 4.000 veces más que los circuitos integrados NAND Flash.
Existe una vida más allá de los chips NAND Flash que se utilizan en los ordenadores, smartphones y otros dispositivos para solucionar problemas de almacenamiento secundario. La tecnología investigada por el Departamento de Física de la Universidad de Lancaster, en Reino Unido, ha tomado más relevancia tras un suceso de gran interés.
El grupo de investigadores de la tecnología UltraRAM han constituido una empresa con el nombre Quinas, con el objetivo de terminar el desarrollo de esta tecnología e iniciar su comercialización. La base de esta tecnología es sumamente sólida y cuenta con ventajas que garantizan un mejor uso ante los NAND Flash convencionales, acuerdo con Xataka.
Una de las razones por las cuales los circuitos integrados UltraRAM son tan prometedores es que esta tecnología permite poner circuitos integrados con capacidad de almacenamiento de la información no volátil y los tiempos de acceso característico de los chips de memoria DRAM. Esto significa que su propuesta combina las ventajas de las memorias NAND Flash y DRAM.
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Asimismo, estos chips garantizan una latencia diez veces menor que las memorias DRAM. Además, los chips de memoria disponen de una vida útil 4.000 veces más prolongada que la de los circuitos integrados NAND Flash, lo que los hace capaces de almacenar información durante más de 1.000 años.
En lo que respecta al consumo eléctrico, los chips UltraRAM consumen cien veces menos que los DRAM fabricados en el mismo nodo litográfico. Los chips trabajos por los investigadores de Quinas fueron fabricados empleando litografía de 20 nm, pero durante los próximos meses recibirán nuevos equipos que les permitirán desarrollar su tecnología de integración.
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